美光 CBO Sumit Sadana：2026 年 DRAM 内存供应局面将更为严峻

10 月 20 日消息，美光科技执行副总裁兼首席商务官 Sumit Sadana 在近日接受《日本经济新闻》采访时表示，2026 年的 DRAM 内存供应局面将比现在更为严峻。

Sumit Sadana 称这是因为 HBM 对晶圆的消耗约是传统 DRAM 产品的三倍，三大内存原厂的大量产能已投入到 HBM 上；而目前建设新的 DRAM 晶圆厂所需的时间和金钱成本也在上升，短时间内无法大规模扩产。

这位 CBO 提到美光在 2026 年将小批量出货 HBM4 内存，有望在 HBM 领域实现高于 2025 年的市场占有，向 HBM 市占齐平整体 DRAM 的目标再进一步。

此外，美光看到从智能手机到汽车的整体产业平均 DRAM 搭载数量的提升，在车用产品方面美光将与客户合作重新审视更高的定价水平；至于 DDR4 内存，为满足客户需求美光决定稍微延长生产时间。